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よくある質問
製造者製品番号:
TSM70N600CP ROG
Product Overview
製造者:
Taiwan Semiconductor Corporation
部品番号:
TSM70N600CP ROG-DG
説明:
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
詳細な説明:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
在庫:
5 新規オリジナル在庫あり
12898938
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TSM70N600CP ROG 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Taiwan Semiconductor
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
700 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
743 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
83W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252 (DPAK)
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
TSM70
データシートとドキュメント
データシート
TSM70N600CP ROG
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
TSM70N600CP ROGCT-DG
TSM70N600CPROGDKR
TSM70N600CP ROGTR-DG
TSM70N600CP ROGDKR
TSM70N600CP ROGCT
TSM70N600CP ROGDKR-DG
TSM70N600CPROGCT
TSM70N600CPROGTR
TSM70N600CP ROGTR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
3 (168 Hours)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IPD80R600P7ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
5056
部品番号
IPD80R600P7ATMA1-DG
単価
0.60
代替タイプ
Similar
部品番号
TK8P60W,RVQ
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
0
部品番号
TK8P60W,RVQ-DG
単価
0.97
代替タイプ
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